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YTC100B-MCZ电子级单晶炉

YTC100B-MCZ电子级单晶炉

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浙江晶泰半导体有限公司

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面议

品牌:

浙江晶泰

型号:

YTC100B-MCZ电子级单晶炉

关注度:

612

产品介绍

炉室资料Puller Data
坩埚直径 Crucible  diameter:18〞- 22〞
单晶直径 Crystal diameter:6〞- 8〞(150-200mm)
装料量 Charge size:60-90kg
喉管直径 Throat Diameter:14 ”(356mm)
主炉膛内径 Main furnace Diameter:¢1000mm
主炉膛高度 Main furnace Height:1250mm
炉门开口尺寸 Pull Chamber Door Opening:15”×82”(380mm×2082mm)
主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
辅助真空泵抽速 (Recommended) Aux:60 cfm (1700 l/min)
排气方式 Exhaust:底排气 Exhaust end
副室类型 Deputy room type:全开门 Full-door
炉盖类型 Lid Type:穹顶 Dome
磁场类型 Field type:勾型、水平型(可选) hook type, horizontal type (optional)
有导流筒提升、激光测距、CCD控径
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料 providing secondary feed

坩埚驱动单位 Crucible drive unit
提升速度 Lifting speed:  0-10 in/hr (0-254mm/hr)
*快提升速度 Crucible Jog Speed: (>250mm/min)
行程 Stroke:  18〞(457mm)
转速 Rotation speed: 0-20 rpm(可逆)

晶驱动单位 Crystal drive unit
提升速度 Lifting speed: 0-20 in/hr (0-508mm/hr)
快速提升速度 Seed Jod Speed: 20 in/min (508mm/min)
转速 Rotation speed: 0-50 rpm(可逆)

厂务要求Utilities
电源电压(Source Voltage) :380V±10%
频率 (Frequency):50/60 Hz
加热功率 (Heating Power):IGBT 165KW底部加热50KW
环境温度(Ambient Temperature):5~40
相对湿度(Relative Humidity):<70%
入口端**水温 (Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
*小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 l/min) total
入口出口压力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm²)  
主氩气流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹扫流量 (Purge Flow):100 slpm
合计(Facility Total):300 slpm
推荐压力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3kg/cm²)
压缩空气(Air)
推荐压力 Recommended Supply Pressure:90psi (6.3kg/cm²)

控制系统System Control
自动过程 Automatic process
标准PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard

外形尺寸Dimensions(approx.)
总高度 (closed):6433mm
宽 Width (W):2200mm
深 Depth (D):2368mm


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