粉体行业在线展览
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在高精度薄膜分析的膜厚测量仪基础上,增加安装了自动角度调节装置,实现高速的薄膜测量和高精度的化学常数解析。可拆卸缓速器和旋转分析仪也拓宽了测量的选择范围,提高了测量精度。FE-5OOOS 虽然和FE-5000有相同的基本功能,但是价格低,体积小。膜厚测量仪的用途也得到扩大。
— 可对应各种选配,膜厚的特制解析
测量项目:
-测量椭圆参数(TANψ,COSΔ)
-光学常数(n:折射率,k:消光系数)分析
-薄膜厚度分析
应用范围:
半导体晶圆
栅氧化膜,氮化膜
SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
光学常数(波长色散)
复合半导体
AlxGa(1-x)多层膜、非晶硅
FPD
取向膜
等离子显示器用ITO、MgO等
各种新材料
DLC(类金刚石碳)、超导薄膜、磁头薄膜
光学薄膜
TiO2,SiO2多层膜、防反射膜、反射膜
光刻领域
g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)和KrF(248nm)等波长的n、k评估
原理
包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上,对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化,可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数,即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
测量示例:
1)考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]
当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“粗糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。
测量示例:
1)考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]
当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“粗糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。
2)使用非干涉层模型测量封装的有机EL材料[FE-0011]
有机EL材料易受氧气和水分的影响,并且在正常大气条件下它们可能会发生变质和损坏。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介绍在密封状态下通过玻璃测量膜厚度的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。
产品特点:
-可分析纳米级多层薄膜的厚度
-可在紫外和可见(250至800nm)波长范围内进行椭偏测量
-可通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱
-通过可变反射角测量,可详细分析薄膜
-通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能,增强操作便利性
-通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量
*1可以驱动偏振器,可以分离不感带有效的位相板。*2取决于短轴•角度。*3对应微小点(可选)*4它是使用VLSI标准SiO2膜(100nm)时的值。*5可以在此波长范围内进行选择。*6光源因测量波长而异。*7选择自动平台时的值。