粉体行业在线展览
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电镀设备
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盛美半导体设备（上海）股份有限公司
美国
面议
盛美半导体
电镀设备
841
脉冲局部电镀技术
适用于超薄种子层
高产能
独立模块设计
低耗材成本COC和运行成本COO
设备应用于300毫米晶圆
*多可配至3个Load Port
*多可配至4个电镀腔体配备脉冲局部电镀功能
*多可配至4 个清洗腔体
*多可配至8个退火腔体
电镀均一性:
WIWNU < 1.5%
WTWNU < 1.5%
TEM 热、电、气、液、冷冻样品杆
合金分析仪
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
GPZT-JH10/4W
NJ-80型
X-300 X-FLUXER® 三位全自动熔片仪
NVT-HG型 单晶生长炉
