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PlasmaQuant MS分析芯片制造过程中清洗液中的磷
2025-07-07     来源:东南科仪   >>进入该公司展台 

摘要

在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造 过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31 ,会 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子离子 的干扰 , 以至于背景信号特别高 ,检出限难以满足 要求 。 故本实验采用冷焰条件 , 通过P31O16测试 某芯片制造广生产过程中的清洗液 。 检出限低至 0.037ug/L , 同时对比了热焰情况下 、 ICPMS的测 试结果及ICP-OES的测试结果 ,结果表明 , 三者结果相近。

挑战

通过P31O16测试P , 避免N15O16、

Si28H1、 N14O16H1的干扰 , 获得 更低检出限

基体

1%HNO3

目的

检测低含量P

 

样品和试剂

 

表 1 校准曲线

仪器方法

 

表2 PQMS配置参数

结果

 

表3 测试结果

表4 标准曲线及LOD

讨论

本实验采用冷焰条件 ,通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关 系数0.999879 ,检出限低至0.0374ug/L。 同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结 果及ICP-OES的测试结果 ,结果表明 ,三者结果相近 ,充分证明了采用冷焰条件 ,通过测试 P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。

 

产品介绍

PlasmaQuant MS 无与伦比的灵敏度可显著提高样品分析效率降低单样品分析成本。设计的ICP-MS分析确保在极短的积分时间或大比例稀释的前提下,依然可以获得最低的检出限和恒定的分析速率。这就保证了最大的样品通量、分析结果的长期稳定性及重复性,并显著减少日常维护频率。

优势:

· 超高灵敏度: 灵敏度【cps/ppm】低质量数:7Li ≥100 M,中质量数:115In ≥500 M,高质量数:238U ≥500 M; 氧化物产率(CeO+/Ce+):≤1.8 %

· 最低运行成本:氩气消耗降低50%

·高效:样品分析速率提升 50%

· 稳定:轻松应对各种复杂基体,确保优异的长期稳定性

·灵活:根据不同应用多样化配置仪器


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