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WS-300AD型晶圆平整度测试仪SiliconWaferFlatnessAnalyzer测量原理（MeasurementPrinciple）激光干涉法(LaserInterfere)图形和数据(2D
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287 | 北京 | 给我留言 |
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测量原理(MeasurementPrinciple)激光干涉法(LaserInterfere)适用范围(ScopeofApplication)用于测量直径为8inch&12inch（300mm
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275 | 北京 | 给我留言 |
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测量原理（MeasurementPrinciple）本机采用白光共焦传感器扫描法进行表面形貌测量，经过计算得到Wafer几何尺寸特征值。功能设计(Function)本机适用于测量6"、8&q
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212 | 北京 | 给我留言 |
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性能参数(Specification)ParameterValue分辨率（ZaxisResolution）0.02μm传感器重复性（Repeatability）0.20μm测量精度（Accuracy）
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277 | 北京 | 给我留言 |
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测量原理(MeasurementPrinciple)激光干涉法(LaserInterfere)适用范围(ScopeofApplication)用于测量直径为2"、4"、6"
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235 | 北京 | 给我留言 |
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设备功能（Function）設备使用高精度共聚焦传感器实现对wafer的厚度测量。适用材料包括碳化硅、砷化镓、硅片、锗片、蓝宝石、陶瓷板、板玻璃、蓝玻璃、石英等。可按照不同厚度值或者不同点位厚度进行分
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325 | 北京 | 给我留言 |
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功能实现（Function）本机机械手臂可以搬运晶片，也可以通过手臂翻将晶圆上下表面翻转180度，然后依据上游已经测试的数据和工艺要求把来料cassette中的晶片放入相应cassette进行分类。该
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268 | 北京 | 给我留言 |
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测量原理（MeasurementPrinciple）本机采用电容传感器(CapacitiveProbe)及涡电流传感器(EddyProbe)组成的电路间接获得晶圆表面及内部特征信息，通过计算得到Waf
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262 | 北京 | 给我留言 |
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测量原理（MeasurementPrinciple）本机采用白光共焦传感器扫描法进行表面形貌测量，经过计算得到Wafer几何尺寸特征值。功能设计(Function)本机适用于测量6"、8&q
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356 | 北京 | 给我留言 |
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典型应用场景航空航天：C/C复合材料发动机喷管、航天器热防护系统（TPS）、导弹弹头；冶金/能源：高温炉具石墨加热元件涂层、核聚变装置第一壁防护；工业耐磨：高温腐蚀工况下的机械密封、管道内衬。
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344 | 湖南 | 给我留言 |
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373 | 湖南 | 给我留言 |
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334 | 湖南 | 给我留言 |
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公司为LED、光伏、半导体、冶金、电子等行业的MOCVD装备、单晶硅炉、PECVD炉、单晶SiC炉、单晶CaN炉及第三代半导体外延炉、氧化炉、离子注入机、刻蚀机等关键装备提供耐温、耐腐、高纯零部件/耗
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287 | 湖南 | 给我留言 |
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强度高、不变形、不断裂C/C是复合材料，韧性远强于石墨，高温长期使用不脆裂、不塌腰。热震性极好频繁升降温也不容易裂，稳定性远高于纯石墨筒。轻量化+高强度比石墨轻，强度是石墨的几倍，大尺寸长筒更稳。
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268 | 湖南 | 给我留言 |
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288 | 湖南 | 给我留言 |
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SolidSiC（整体固相碳化硅）盘/环，区别于“石墨+SiC涂层”的复合件，是纯SiC整体结构，尤其在半导体ICP刻蚀、SiC外延、MOCVD等强等离子/高温工况中是核心耐蚀承载/聚焦部件。
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317 | 湖南 | 给我留言 |
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核心作用隔绝石墨基体，不释放碳污染完全不与Si蒸气反应（SiC长晶最关键）耐高温、抗冲刷、寿命比纯石墨高5–20倍温场更均匀，晶体/晶圆良率大幅提升
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276 | 湖南 | 给我留言 |
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TaC涂层喷管是以高纯等静压石墨为基体、表面沉积致密CVDTaC涂层的高温/强腐蚀工况专用导流部件，核心价值是在2200–2500℃、Si蒸气、F/Cl基等离子体、强气流冲刷下实现零污染、长寿命、均匀
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340 | 湖南 | 给我留言 |
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TaC涂层石墨坩埚是SiC单晶PVT生长的革命性热场材料，以极致耐蚀、低污染、长寿命、优温场四大核心价值，直接决定SiC晶体的缺陷密度、良率、成本与规模化能力，是当前6/8英寸SiC产业化的标配选择。
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296 | 湖南 | 给我留言 |
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307 | 湖南 | 给我留言 |