１　引言
    在低频（ＤＣ到１００ＫＨｚ）磁屏蔽中，设计低成本屏蔽体的最关键因素是对磁屏蔽的透彻理解。其目的是要达到减少所规定的磁场，这样使其对所屏蔽的器件或系统不形成威胁。一旦这一目标被确定，就应考虑会影响到屏蔽体的低成本设计的一些基本设计因素。这些包括：材料的选择、主要设计参数和加工工艺。

２　材料的选择
　　对于屏蔽体来说，所选择的材料的类型对其性能和成本影响极大。在设计屏蔽体时有一点是重要的，就是要深入了解普通使用的不同屏蔽合金的特性。对这些不同性能的理解就可使你选择合适的材料，去满足目标要求。
    磁屏蔽材料要根据各自的特性进行选择，特别是磁导率和磁饱和性能。由于在变更低频磁场方向的效能，所以高磁导率材料（比如含８０％的镍合金Ｍumetal,这是一种高磁导率铁镍合金）是经常使用的屏蔽材料。这些合金可满足ＭＩＬ－Ｎ－１４４１１Ｃ部分１和ＡＳＴＭ　Ａ７５３－９７样式４的要求。其可得到的相对较薄的厚度为０.002到0.125英寸，并极易被有经验的屏蔽加工者加工出来。
    在需要于极小空间内降低磁场时，典型上使用这些合金。在需要提供比要求更高屏蔽时，或是磁场强度（在较高场强时更为典型）需要具有更高饱和值材料时，这些材料常被选中。
    在屏蔽目标仅需要稍微减少场强时（减少１～１／４），或是当场强足以使高磁导率屏蔽体饱和时，超低碳钢（ＵＬＣＳ）可能是最佳的选择。这些较低成本材料的碳含量典型小于0.01％；与其它钢相比，其有较高的磁导率和极优的饱和性能。这些材料具有较小的柔韧性，并比硅钢较容易制造，这就允许在大面积屏蔽项目中容易安装和以同样的方式加工出小型组件。ＵＬＣＳ可与高磁导率材料一起使用，以为需要高饱和保护和高衰减等级建立最佳的屏蔽体。
    对于低温用的屏蔽体，Ｃryoperm　１０（为德国Vaccumschmelze GmbHg公司的注册商标）为一种最佳选择。与Ｍumetal一样，Ｃryoperm　１０也是一种高磁导率镍铁合金，它是经特殊加工而成的，以提供在降低温度时磁导率增加。标准的屏蔽合金（比如Ｍumetal）在低温时就失去了其大部分磁导率。但是Cryoperm１０可在77.3到４.2°Ｋ时的磁导率却增加１０倍。表１示出了最常用的屏蔽材料的磁导率饱和值的比较。

　                   饱和                磁导率
材料                （高斯）        μ（最大）     μ（40）
Amumetal（80%镍）   8，000         400，00       60，000
Amunickel（48%镍） 15，000         150，000      12，000
Cryoperm10         9，000          250，000      65，000
超低碳钢           22，000          4，000        1，000


    由于材料的成本占屏蔽体价格的一半，所以使用较薄的尺寸能满足所要求的屏蔽特性和结构性能是最好了。厚度为0.002到0.010英寸的箔材是最低成本的选择。这些箔材能以同等的化学组分和性能特性获得，并可作为标准的以镍为基础的和ＵＬＣＳ材料。
　设计低成本屏蔽体的最重要的一步，就是对这些典型屏蔽材料特性及其对屏蔽性能影响的了解。一旦合适的材料被选中，其重点要集中于基本的设计考虑，以使其不但性能最佳，而且对成本的影响最小。

３　设计考虑
　　大部分屏蔽体用的公式和模型的开发是基于圆形或无限长的圆柱体几何形状的。在实际应用中，所给定屏蔽体的实践形状由器件结构和屏蔽体自身的可利用空间所决定。在设计一屏蔽体时，要了解的重要的结构是，要使磁力线旋转９０°是困难的。但是，圆形屏蔽体，比如要改变圆柱体或是具有圆形角的盒体的磁力线的方向要比具有方形角的屏蔽体容易一些。类似地，对于包容已进入屏蔽材料的磁力线并改变其方向，圆角要比尖角好一些。保持可提供低磁阻路径的屏蔽体形状简单或磁场运动的"最低磁阻路径"是很重要的。
　屏蔽体的尺寸在屏蔽效率和成本方面的重要性极大。屏蔽体的有效半径越小，其整体性能就越好。但是，设计屏蔽体的目的是使其包络试图屏蔽的组件和空间，并应该靠得很近。由于材料占屏蔽体设计的大部分成本，因此较小屏蔽体就可以在较低成本下获得较优的性能。
　　每当有可能，屏蔽体应与所有壁靠近，以避免场泄漏。这种结构（即使是矩形）也是最接近于圆形的，它可以建立一个半闭合的磁路。另外，全部箱体可在所有轴上获得屏蔽特性，这样就可以保证最好的屏蔽性能。当特殊的性能和进出口需要时，可移动的盖板、罩和门均可组合到屏蔽体设计中去。
　　利用盖板、罩和门时或使用两块或多块板构建屏蔽体时，在多块板间保持磁连续性和电接触是很重要的。可通过机械式（利用磨擦组件）或焊接保持磁连续性。在拐角或过渡连接，使用焊接可获得最佳性能。维持表面间的连续性就可以保证磁力线连续沿其低磁阻路径前进，这样可以提高屏蔽效能。在交流场，保持磁连续性就允许较高的感应电流屏蔽，在直流场，对于适当的磁力线分路，连续性也是重要的。
　  如果你不能靠近屏蔽体的一端或两端，要特别注意开端的长一直径比。屏蔽体的这种长-直径比至少应为４：１，以避免"端接效应"和磁力线穿透屏蔽体范围。经验法则是，屏蔽体需要延伸到器件的外部，这样可以用与开孔半径相等部分进行保护。由于增加了屏蔽体的长度同时保持直径不变，就可以用无限长圆柱体模型进行近似。当圆柱型或矩形屏蔽体需要大的开孔时，垂直于屏蔽体壁的的管可用于由于开孔而引起屏蔽体的磁场强度的减少。管的长度应正比于所屏蔽的开孔的直径。
　　在设计过程早期就应考虑这些问题，可使这些主要设计参数对屏蔽体的成本影响较小。但是，这些因素要比材料本身对屏蔽体性能的影响要大。这样，在设计屏蔽体时，最先保证这些基本参数通常是需要的。

４　生产技术
　　一种好的屏蔽体设计要涉及到加工过程，其可提供所需要的结构和特性。在过去，大部分磁屏蔽体是用标准的精密片状金属加工技术通过剪切、穿孔、成型和焊接加工出来的。现在，利用先进的激光切割系统，个别部件的剪切和计算机化的数字控制冲孔都由一步激光切割技术所代替。主要的屏蔽元件的一步加工技术可使加工时间更快和降低加工成本，而无须高成本的加工方法。特别是对于型材和特殊设备（比如专用切割和系列化），这种过程可为屏蔽设计者提供更大的灵活性。
　利用母材并使用缝隙和连接点的氩弧焊或叠层缝隙的点焊，就可以组装多个屏蔽元件。氩弧焊可使组装的屏蔽体得到最佳化的磁连续性，它可用于使用高屏蔽性能方面。对于大部分应用，与氩弧焊相比，法兰和叠层连接的点焊可获得更高级的磁连续性。
　为使典型的屏蔽合金（如Mumetal）达到最佳性能，还要进行特殊的被称为氢退火的热处理循环。一旦所有加工过程完成，就可以进行退火过程。但在退火以后，对屏蔽体进行冲击和振动试验，将降低材料的性能。严格遵守所规定的退火周期，不但能保证获得最佳磁屏蔽性能，而且还可以将未退火材料的磁导率平均提高４０倍。

５　结论
　　对所规定的屏蔽任务的了解有助于最好的材料、结构和加工艺的选择。这种评价可在最佳成本下保持最好的屏蔽性能。

    磁屏蔽的解决方案
    GMR传感器作为一种灵敏度非常高的磁性传感器，可以预见未来的广泛应用。但用户极其关心的一个问题是抗磁干扰问题。为解决此问题有多种方案，但最主要的是磁屏蔽，以下是关于磁屏蔽的相关论述。（资料主要来源：The MuShield Company,Inc.  仅供参考，不负相关责任。）
    如果你要设计自己的磁屏蔽系统，你会发现以下的信息是很有用的。
    磁屏蔽目的：通常是保护电子线路免于受到诸如永磁体、变压器、电机、线圈、电缆等产生磁场的干扰，当然屏蔽强的磁干扰源使它免于干扰附近的元器件功能也是一个重要的应用目的。 磁屏蔽材料参数及材料划分：磁屏蔽体由磁性材料制成，衡量材料导磁能力的参数是磁导率，通常以数字来表示相对大小。真空磁导率为1，屏蔽材料的磁导率从200到350000；磁屏蔽材料的另一个重要参数是饱和磁化强度。磁屏蔽材料一般分为三类，即高导磁材料、中导磁材料和高饱和材料。
    高饱和磁导率材料的磁导率在80000-350000之间，经热处理后其饱和场可达7500Gs；中磁导率材料通常和高导材料一起使用，其磁导率值从12500-150000，饱和场15500Gs；高饱和场的磁导率值为200-50000，饱和场可达18000-21000Gs。
    以下是一些常用量的定义：  
    Gs：磁通密度的单位，相当于每平方厘米面积上有一条磁力线通过。
    磁通量：由磁场产生的所有磁力线的总和。
    饱和磁场：即材料磁感应强度渐趋于一恒定值时对应的磁场。
    B：屏蔽体中的磁通密度，单位Gs。
    d：屏蔽体直径（注：当屏蔽体为矩形时指最长边的尺寸）。
    Ho：外场强度，单位Oe。
    μ：材料磁导率。
    A：衰减量（相对值）。
    t：屏蔽体厚度。
    磁场强度：屏蔽体中磁场强度估算用下面公式：  
    B=2.5dHo/2t（Gs）  
    如用厚度为0.060″的材料制成直径为1.5″的屏蔽体，在80Gs的磁场中其内部磁场为2500Gs。
     屏蔽体厚度：用以下公式估算： 
                              t=Ad/μ（英寸）  
    如用磁导率为80000的材料制成直径为1.5″的屏蔽体，当要求实现1000/1的衰减量时，屏蔽体的厚度为  
                          t=1000×1.5/80000=0.019″  
    厚度设计还应综合考虑性价比的因素，一般屏蔽材料的磁导率应不低于80000，否则就要增加厚度以达到同样的屏蔽效果，则会导致费用的增加。
     当场强很强时，厚度的选取应使材料工作于磁导率最大的场强下。如当材料的磁导率在场强为2300-2500Gs时磁导率最大，则所需厚度为  
                            t=1.25dHo/B（英寸）  
    如直径1.5″，长度6″的屏蔽体置于80Gs的磁场中，所需的厚度是0.060″。
    磁场衰减率：用下式估算：  
                                A=μt/d  
    用此式对上面的数据计算可得到，当材料磁导率为350000时，其衰减率为14000。
    磁通密度：被屏蔽空间内磁通密度为  
                               B=Ho/A（Gs）
    同样利用以上数据，则被屏蔽空间的磁场为0.0057Gs。  
    更多的设计要点：
    *开始设计前要正确估算干扰场的大小和频率，其次，正确评价能承受的干扰场的大小。
    *用以屏蔽很强的磁场时，可采用多层屏蔽的结构。如果可能，两层屏蔽体间保留1/2″的间隙。 
    *在屏蔽如真空泵产生的强磁场时，要采用多层屏蔽结构。其中内层用低磁导率材料，中间层用中磁导率材料，外层用高磁导率材料。  
    *用单层结构屏蔽如CRTs等及其敏感的设备时，应在离设备5″处形成一个完整的屏蔽体；当型号很大时，只需对关键部分如磁轭等部位进行屏蔽即可。  
    *对于极低场的要求，通常采用3层屏蔽的方式，其中外层屏蔽用高磁导率材料，在内外屏蔽层间是Cu层。在Cu层上通以强的交流电流可对内屏蔽层消磁，同时Cu层还可以屏蔽静磁场的干扰。  
    *对于磁屏蔽结构，在材料厚度允许的时候可采用搭接点焊，交接尺寸至少3/8″。在直径发生变化或结构拐角的地方，应采用氦弧焊。  
使用片状材料的要点：在屏蔽小元件时，刚性结构加工应用都不方便，这时片状材料是一个很好的选择，但要注意以下事项：  
    *为减少磁散射发生，结构中应避免出现 尖锐的拐角；如果结构上需要开孔或缝，则应力求其边角采用圆弧形式。  
    *当屏蔽圆柱形物体时，每一层的搭接尺寸不少于3/4″，而且第一层的接口位于180°的位置，则下一层的接口位于90°的位置，再下一层又位于180°的位置，如此等等。  
    *为了提高屏蔽效果，每两层屏蔽间保留3-4倍于薄片厚度的空间。
    *因为薄片材料具有极高的磁导率，因此使用中应避免连续螺旋状卷绕它，否则将有可能在屏蔽体中产生相当于磁极的结构。  
    *当在薄片材料上钻孔时，应确保是在正确的加工片状金属的条件下进行，而不是在普通的金属加工条件下操作，因为普通的操作方式会产生螺丝起子效应导致薄片发生弯曲，从而屏蔽就是对两个空间区域之间进行金属的隔离，以控制电场、磁场和电磁波由一个区域对另一个区域的感应和辐射。具体讲，就是用屏蔽体将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来，防止干扰电磁场向外扩散；用屏蔽体将接收电路、设备或系统包围起来，防止它们受到外界电磁场的影响。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波均起着吸收能量（涡流损耗）、反射能量（电磁波在屏蔽体上的界面反射）和抵消能量（电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场，可抵消部分干扰电磁波）的作用，所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。
    （1）当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率的金属材料中产生的涡流，形成对外来电磁波的抵消作用，从而达到屏蔽的效果。
    （2）当干扰电磁波的频率较低时，要采用高导磁率的材料，从而使磁力线限制在屏蔽体内部，防止扩散到屏蔽的空间去。
    （3）在某些场合下，如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时，往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。
    许多人不了解电磁屏蔽的原理，认为只要用金属做一个箱子，然后将箱子接地，就能够起到电磁屏蔽的作用。在这种概念指导下结果是失败。因为，电磁屏蔽与屏蔽体接地与否并没有关系。真正影响屏蔽体屏蔽效能的只有两个因素：一个是整个屏蔽体表面必须是导电连续的，另一个是不能有直接穿透屏蔽体的导体。屏蔽体上有很多导电不连续点，最主要的一类是屏蔽体不同部分结合处形成的不导电缝隙。这些不导电的缝隙就产生了电磁泄漏，如同流体会从容器上的缝隙上泄漏一样。解决这种泄漏的一个方法是在缝隙处填充导电弹性材料，消除不导电点。这就像在流体容器的缝隙处填充橡胶的道理一样。这种弹性导电填充材料就是电磁密封衬垫。
    在许多文献中将电磁屏蔽体比喻成液体密封容器，似乎只有当用导电弹性材料将缝隙密封到滴水不漏的程度才能够防止电磁波泄漏。实际上这是不确切的。因为缝隙或孔洞是否会泄漏电磁波，取决于缝隙或孔洞相对于电磁波波长的尺寸。当波长远大于开口尺寸时，并不会产生明显的泄漏。因此，当干扰的频率较高时，这时波长较短，就需要使用电磁密封衬垫。具体说，当干扰的频率超过10MHz时，就要考虑使用电磁密封衬垫。
    凡是有弹性且导电良好的材料都可以用做电磁密封衬垫。按照这个原理制造的电磁密封衬垫有:
    导电橡胶：在硅橡胶内填充占总重量70～ 80％比例的金属颗粒，如银粉、铜粉、铝粉、镀银铜粉、镀银铝粉、镀银玻璃球等。这种材料保留一部分硅橡胶良好弹性的特性，同时具有较好的导电性。
    金属编织网：用铍铜丝、蒙乃尔丝或不锈钢丝编织成管状长条，外形很像屏蔽电缆的屏蔽层。但它的编织方法与电缆屏蔽层不同，电缆屏蔽层是用多根线编成的，而这种屏蔽衬垫是由一根线织成的。打个形象的比喻，就像毛衣的袖子一样。为了增强金属网的弹性，有时在网管内加入橡胶芯。
    指形簧片：铍铜制成的簧片，具有很好的弹性和导电性。导电性和弹性。
多重导电橡胶：由两层橡胶构成，内层是普通硅橡胶，外层是导电橡胶。这种材料克服了传统导电橡胶弹性差的缺点，使橡胶的弹性得以充分体现。它的原理有些像带橡胶芯的金属丝网条。
    选择使用什么种类电磁密封衬垫时要考虑四个因素：屏蔽效能要求、有无环境密封要求、安装结构要求、成本要求。
    屏蔽按机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。
    1.电场屏蔽
    【屏蔽机理】：将电场感应看成分布电容间的耦合。
    【设计要点】：
    a、屏蔽板以靠近受保护物为好，而且屏蔽板的接地必须良好！！！
    b、屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。全封闭的金属盒最好，但工程中很难做到！
    c、屏蔽板的材料以良导体为好，但对厚度无要求，只要有足够的强度就可了。
    2 磁场屏蔽
    磁场屏蔽通常是指对直流或低频磁场的屏蔽，其效果比电场屏蔽和电磁场屏蔽要差的多。
   【 屏蔽机理】：主要是依靠高导磁材料所具有的低磁阻，对磁通起着分路的作用，使得屏蔽体内部的磁场大为减弱。
   【设计要点】：
    a、选用高导磁材料，如坡莫合金；
    b、增加屏蔽体的厚度；
以上均是为了减小屏蔽体的磁阻；
    c、被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上，以尽量减小通过被屏蔽物体体内的磁通；
    d、注意屏蔽体的结构设计，凡接缝、通风空等均可能增加屏蔽体的磁阻，从而降低屏蔽效果。
    e、对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。
    对要屏蔽外部强磁场的，则屏蔽体的外层选用不易饱和的材料，如硅钢；而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料，如坡莫合金等。
    反之，如果要屏蔽内部强磁场时，则材料的排列次序要到过来。
    在安装内外两层屏蔽体时，要注意彼此间的绝缘。当没有接地要求时，可用绝缘材料做支撑件。若需接地时，可选用非铁磁材料（如铜、铝）做支撑件。
    3 电磁场屏蔽
    电磁场屏蔽是利用屏蔽体阻止电磁场在空间传播的一种措施。
   【电磁场屏蔽的机理】：
    a、当电磁波到达屏蔽体表面时，由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续，对入射波产生的反射。这种反射不要求屏蔽材料必须有一定的厚度，只要求交界面上的不连续；
    b、未被表面反射掉而进入屏蔽体的能量，在体内向前传播的过程中，被屏蔽材料所衰减。也就是所谓的吸收；
    c、在屏蔽体内尚未衰减掉的剩余能量，传到材料的另一表面时，遇到金属－空气阻抗不连续的交界面，会形成再次反射，并重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射。
    总之，电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收。
    【吸收损耗】不同的材料、不同的材料厚度对于电磁波的吸收效果不一样.可根据材料吸收损耗的列线图得出。
    【反射损耗】分为三类：低阻抗磁场、高阻抗电场、平面波场。
    其中低阻抗磁场和高阻抗电场的反射损耗列线图计算方法相同，与金属材料、频率及辐射源到屏蔽体的距离有关。
    对于平面波，波阻抗为一常数，而与辐射源到屏蔽体的距离无关，在列线图中只需连接金属材料和感兴趣的频率就可求出此时的反射损耗值。
    4 实际的电磁屏蔽体
    【结构材料】
    a、 适用于底板和机壳的材料大多数是良导体，如铜、铝等，可以屏蔽电场，主要的屏蔽机理是反射信号而不是吸收。
    b、对磁场的屏蔽需要铁磁材料，如高导磁率合金和铁。主要的屏蔽机理是吸收而不是反射。
    c、在强电磁环境中，要求材料能屏蔽电场和磁场两种成分，因此需要结构上完好的铁磁材料。屏蔽效率直接受材料的厚度以及搭接和接地方法好坏的影响。
    d、对于塑料壳体，是在其内壁喷涂屏蔽层，或在汽塑时掺入金属纤维。
    e、 必须尽量减少结构的电气不连续性，以便控制经底板和机壳进出的泄漏辐射。提高缝隙屏蔽效能的结构措施包括增加缝隙深度，减少缝隙长度，在结合面上加入导电衬垫，在接缝处涂上导电涂料，缩短螺钉间距离等。
    f、 【搭接】
    a、在底板和机壳的每一条缝和不连续处要尽可能好的搭接。最坏的电搭接对壳体的的屏蔽效能起决定性作用。
    b、保证接缝处金属对金属的接触，以防电磁能的泄漏和辐射。
    c、在可能的情况下，接缝应焊接。在条件受限制的情况下，可用点焊、晓间距的铆接和用螺钉来固定。
    d、在不加导电衬垫时，螺钉间距一般应小于最高工作频率的1％，至少不大于1/20波长。
    e、用螺钉或铆接进行搭接时，应首先在缝的中部搭接好，然后逐渐向两端延伸，以防金属表面的弯曲。
    f、保证紧固方法有足够的压力，以便在有变形应力、冲击、震动时保持表面接触。
    g、在接缝不平整的地方，或在可移动的面板等处，必须使用导电衬垫或指形弹簧材料。
    h、选择高导电率的和弹性好的衬垫。选择衬垫时要考虑结合处所使用的频率。
    i、选择硬韧性材料做成的衬垫，以便划破金属上的任何表面。
    j、保证同衬垫材料配合的金属表面没有任何非导电保护层。
    k、当需要活动接触时，使用指形压簧，并要注意保持弹性指簧的压力。
    l、导电橡胶衬垫用在铝金属表面时，要注意电化腐蚀作用。纯银填料的橡胶或monel线性衬垫将出现最严重的电化腐蚀。银镀铝填料的导电橡胶是盐雾环境下用于铝金属配合表面的最好衬垫材料。
    以下是按优先等级排列的各种衬垫。
    1 金属网射频衬垫 容易变形，压力为1.4kg/cm时，衰减为54db。资料表明，频率较低时衰减最大。用于永久密封较好，不适宜用于开与关的面板。
    2 铜镀合金 有很高的导电性和很好的抗腐蚀性。弹性好，最适合用于和活动面板配合。可制成指条形、螺旋和锯齿面。衰减为100db。
    3 导电橡胶 适用于只需名义上连接和少量螺钉的地方。实现水汽密封和电气密封经1500℃、48小时老化后，体电阻率为10～20mω/cm(max)。变形度限制值为25％。资料表明，频率较高时衰减为最大。
    4 导电蒙布 在泡沫塑料上蒙一块镀银编织物，形成一个软衬垫，占去大部分疏松空间，主要为民用，适用于泡沫衬垫 机柜和门板。
    【穿透和开口】
    a、要注意由于电缆穿过机壳使整体屏蔽效能降低的程度。典型的未滤波的导线穿过屏蔽体时，屏蔽效能降低30db以上。
    b、电源线进入机壳时，全部应通过滤波器盒。滤波器的输入端最好能穿出到屏蔽机壳外；若滤波器结构不宜穿出机壳，则应在电源线进入机壳出专为滤波器设置一隔舱。
    c、信号线、控制线进入/穿出机壳时，要通过适当的滤波器。具有滤波插针的多芯连接器适于这种场合使用。
    d、穿过屏蔽体的金属控制轴，应该用金属触片、接地螺母或射频衬垫接地。也可不用接地的金属轴，而用其它轴贯通波导截止频率比工作频率高的园管来做控制轴。
    e、必须注意在截止波导孔内贯通金属轴或导线时会严重降低屏蔽效能。
    f、当要求使用对地绝缘的金属控制轴时，可用短的隐性控制轴，不调节时，用螺帽或金属衬垫弹性安装帽盖住。
    g、为保险丝、插孔等加金属帽。
    h、用导电衬垫和垫圈、螺母等实现钮子开关防泄漏安装。
    i、在屏蔽、通风和强度要求高而质量不苛刻时，用蜂窝板屏蔽通风口，最好用焊接方式保持线连接，防止泄漏。
    j、尽可能在指示器、显示器后面加屏蔽，并对所有引线用穿心电容滤波。
    k、在不能从后面屏蔽指示器/显示器和对引线滤波时，要用与机壳连续连接的金属网或导电玻璃屏蔽指示器/显示器的前面。对夹金属丝的屏蔽玻璃，在保持合理透光度条件下，对30～1000m的屏蔽效能可达50～110db。在透明塑料或玻璃上镀透明导电膜，其屏蔽效果一般不大于20db。但后者可消除观察窗上的静电积累，在仪器上常用。