Zn-5016是江苏秋正新材料研发出来的一款基于Bi₂O₃-ZnO-P₂O₅体系的无铅玻璃粉，其旨在满足高端制造领域对超低温封接与精密热匹配的迫切需求。

核心理化参数如下：

主要成分：Bi₂O₃,ZnO,P₂O₅,Li₂O,ZrO₂。

特征温度：玻璃化转变温度（Tg）与软化点（Ts）约为300℃。

热膨胀系数（CTE）：7.6×10⁻⁶/K(25-300℃)。

环保特性：不含铅（Pb）、镉（Cd）等有害物质，符合RoHS等国际环保指令。

超低温特性原理：高含量的Bi₂O₃是本材料实现低软化点的关键。Bi³⁶离子以[BiO₃]三角锥和[BiO₆]八面体形式存在，其与氧的键能较低，且易形成孤对电子，导致玻璃网络结构疏松，从而显著降低熔融与软化温度。

低热膨胀系数设计：通过引入ZnO、P₂O₅及少量ZrO₂，在低熔点基础上构建了适度交联的稳定网络。其中，ZrO₂的加入（通常<2%）能有效提高网络连接度，是控制CTE处于7.6×10⁻⁶/K这一较低区间的关键，使其与多种关键材料的热膨胀行为相匹配。

综合性能平衡：P₂O₅的引入提升了玻璃的化学稳定性与耐候性；Li₂O作为助熔剂，进一步优化了低温烧结性能。

MEMS活动结构、脆性材料（如GaAs）及已完成前端工艺的硅芯片，对后端封接温度极其敏感，通常要求工艺温度低于400℃。

Zn-5016优势：

低温工艺窗口：~300℃的软化点，为气密性封装（如玻璃粉烧结或阳极键合辅助层）提供了充足且安全的工艺窗口，避免热应力损伤。

CTE匹配性：7.6×10⁻⁶/K的CTE与硅（~3.5×10⁻⁶/K）、可伐合金（~5.5×10⁻⁶/K）等常用封装材料更为接近，能大幅降低界面热应力，提高封装可靠性。

无铅化：满足微电子行业严格的环保要求。

技术痛点：钙钛矿活性层及有机空穴传输材料（如Spiro-OMeTAD）的热分解温度通常低于150-200℃。

Zn-5016优势：

超低温烧结：作为电极浆料（如银浆）中的粘结相，可在350-400℃的低温下实现导电网格的牢固烧结与低阻连接，完全避开钙钛矿层的热损伤阈值。

稳定封装：其本身可作为边缘封装材料，提供长效的水氧阻隔保护。

技术痛点：LTCC工艺要求介质材料与内埋导体（如Ag）在共烧过程中形变同步，且需低介电损耗以保障高频性能。

Zn-5016优势：

优异的烧结匹配性：软化点与Ag浆的烧结温度相匹配，确保共烧过程无翘曲、分层。

可控的介电性能：铋酸盐玻璃通常具备中低介电常数（εr）和较低的介电损耗（tanδ），适合高频应用。

高强度与稳定性：少量ZrO₂的掺杂提高了玻璃体的机械强度和化学耐久性，保障器件在恶劣环境下的可靠性。

技术痛点：光学玻璃、晶体与金属壳体间的封接需同时满足低温度、高气密性、低应力及长期环境稳定性要求。

Zn-5016优势：

低应力封接：CTE值介于多数光学玻璃（~7-9×10⁻⁶/K）和封装金属（如铝、钛合金）之间，通过设计可实现梯度或过渡封接，极大降低光学面形畸变风险。

低温实现气密封装：~300℃的封接温度，避免高温对光学薄膜、镀层及胶合层的破坏。

Zn-5016是一款通过精确组分设计，成功将超低封接温度（~300℃）与较低热膨胀系数（7.6×10⁻⁶/K）相结合的特种玻璃粉。其技术特性精准契合了MEMS封装、先进半导体集成、钙钛矿光伏、高频LTCC及精密光学器件等多个前沿领域对低温、低应力、高可靠封装材料的需求。

我们可提供不同粒径分布的粉体，并支持根据特定基板的CTE进行定制化微调。欢迎索取样品及详细技术数据单，以验证其在您具体工艺中的性能。