磁性奈米線陣列擁有高密度、高比表面積、高深寬比等特性，對於磁性儲存元件應用有良好潛力，而為了以低廉的成本並快速製作鈷奈米線陣列，本研究使用陽極氧化鋁（anodic aluminum oxide，AAO）模板法配合電鍍製程技術，並以市售大孔徑(200 nm)與本實驗室自製小孔徑(40~50 nm)模板沉積鈷奈米線，探討不同電化學沉積參數對於鈷奈米線沉積情況、結晶方向。

於市售大孔徑(200 nm)AAO模板方面，探討以直流方式沉積，改變不同電壓、電解液濃度與電解液溫度，討論其沉積情況、結晶方向，以及使用高壓(2 V)脈衝方式沉積鈷奈米線，於退火處理前後與傳統低壓直流進行比較。而自製小孔徑模板方面，由於AAO模板底部為不導電之阻擋層，以漸降陽極電壓方式削減其模板阻擋層，並且探討其草酸電解液溫度與擴孔蝕刻於自製AAO模板對於鈷奈米線沉積的影響，並探討兩種不同模板沉積鈷奈米線其結晶性，而最後將自製AAO模板移除，探討獨立鈷奈米線陣列其可見光反射性質。

  本實驗使用市售大孔徑(200 nm)模板，在高壓(2 V)脈衝方式沉積鈷奈米線克服孔洞堵塞，以及退火後呈現單一[101]結晶方向之高強度，而在5oC下草酸以漸降陽極電壓方式製備AAO模板以及搭配磷酸擴孔10 min，沉積出長度均勻且在[002]結晶方向高結晶強度的鈷奈米線，並且移除自製AAO模板後，呈現直立無團聚之鈷奈米線陣列，控制其鈷奈米線長度可呈現出不同可見光學波長增強。