半导体行业专用仪器-氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备立式-山东力冠微电子装备有限公司-产品详情

氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备立式

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山东力冠微电子装备有限公司

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品牌：

山东力冠

型号：

氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备立式

关注度：

837

产品介绍

产品特点/Product Characteristics：

♦ 基础工艺包

Basic process package

1.氮化镓(GaN)单晶生长尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.单晶生长速率:≥50微米/小时

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚度: < 200微米

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氮化镓（GaN）HVPE单晶生长设备立式

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