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定制-微波等离子体辅助原子层沉积系统
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定制-微波等离子体辅助原子层沉积系统
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微波等离子体辅助原子层沉积系统
衬底尺寸和类型：
8英寸/12英寸晶圆
3D复杂表面衬底;多孔，通孔，高深宽比(HAR)样品
前驱体管路：
6路前驱体源管线，*多加载12路
6路气体管线，*多加载12路
工艺温度：
50-500°C(800 °C加热盘可定制)
基片加载：
气动升降，手动装载
沉积材料：
Al2O3, TiO2, Ga2O3, Ta2O5, HfO2, ZrO2,AIN,TiN,SiNx以及金属Pt或者Ir
热丝CVD金刚石膜沉积设备HF450
XRD-晶向定位
CVD 真空化学气相沉积设备
等离子体增强化学气相沉积系统CVD
FT-391
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
自动划片机
等离子化学气相沉积系统-PECVD
Pentagon Qlll
