EPEE i200系列主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉积工艺，平台式多反应腔架构，兼容Si、SiC、GaAs等不同衬底材料，广泛应用于集成电路、化合物半导体、功率半导体、半导体照明、硅基微型显示、科研等领域。
设备特点
•先进的单腔双片架构，兼具产能和性能优势
•高效传输系统，智能软件调度算法
•高效远程等离子体清洗系统，良好的颗粒控制
•支持气态硅烷和液态正硅酸乙酯两类沉积工艺
产品应用
•晶圆尺寸：6/8英寸兼容
•适用材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、PSG、BPSG
•适用工艺：掩膜层沉积、钝化层沉积、绝缘层沉积
•适用领域：集成电路、化合物半导体、功率半导体、LED、硅基微显、科研