粉体行业在线展览
电镀设备
面议
盛美半导体
电镀设备
398
脉冲局部电镀技术
适用于超薄种子层
高产能
独立模块设计
低耗材成本COC和运行成本COO
设备应用于300毫米晶圆
*多可配至3个Load Port
*多可配至4个电镀腔体配备脉冲局部电镀功能
*多可配至4 个清洗腔体
*多可配至8个退火腔体
电镀均一性:
WIWNU < 1.5%
WTWNU < 1.5%
X-300 X-FLUXER® 三位全自动熔片仪
TEM 热、电、气、液、冷冻样品杆
SHM1000
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
NVT-HG型 单晶生长炉
拉普拉斯低压水平磷扩散设备 LRP430
大/小过渡舱
冲击破耐磨配件
船用水炮系列