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碳化硅衬底
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河北普兴电子科技股份有限公司
河北
面议
405
产品介绍:
碳化硅作为第三代半导体具有一系列优良的物理化学特性，碳化硅器件相对于硅器件的优势如下:
耐高温：碳化硅的禁带宽度和热导率均为硅的 3 倍左右（Si 1.12eV SiC 3.23eV），理论上碳化硅器件能在超 600℃的环境下工作，硅器件的极限工作环境局限在175℃
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碳化硅
微米级高纯β-SiC粉体
WO
QZ-0017
4H型a相碳化硅粉
MG-C010
GC0.5
409-21-2
240#
JIS#12-#12000
碳化硅石墨托盘
