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碳化硅

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碳化硅

2016年开始进行碳化硅的研发，19年开始量产6寸外延，21年中标国家工信部碳化硅外延产业化项目。产品通过车规级验证，已向国内多家车规级功率器件厂家批量供货,已应用在多家主要新能源车主驱模块和电源上

产品介绍:

碳化硅作为第三代半导体具有一系列优良的物理化学特性，碳化硅器件相对于硅器件的优势如下:

    耐高温：碳化硅的禁带宽度和热导率均为硅的 3 倍左右（Si 1.12eV  SiC 3.23eV），理论上碳化硅器件能在超 600℃的环境下工作，硅器件的极限工作环境局限在175℃

    耐高压：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍左右，极大地提高了器件的耐压特性

    低损耗:   碳化硅拥有约2倍于硅的饱和电子漂移速率与极低的导通电阻，能够降低能量损耗，如相同规格的碳 化硅基MOSFET 较硅基IGBT 的总能量损耗可降低70%

主要应用领域：

新能源汽车（主驱芯片和OBC）、光伏逆变、充电桩、轨道交通、储能、智能电网、大数据工控电源等领域，其中车用占70%