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磷化铟单晶生长炉

磷化铟单晶生长炉

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青岛育豪微电子设备有限公司

山东

产品规格型号
参考报价:

面议

品牌:

育豪微电子

型号:

磷化铟单晶生长炉

关注度:

91

产品介绍

一、设备概述:

主要应用于 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺,自动控制系统。

 

二、设备参数类型:

设备性能指标

1

操作方式

手动

2

管路数

1管

3

加工晶圆尺寸

4-6寸

4

适用工艺

单晶生长

5

工艺温度范围

800-1250℃

6

恒温区长度

300-800mm

7

控温精度

±0.2℃/>1280℃恒温区内

8

单点温度稳定性

±0.2℃

9

温度校准功能

具有预先写入偏差值快速拉温区功能

10

进出料方式

手动

11

控温模式

Spike控温

12

控温点数

4-6点

13

真空机组:

直连泵

14

系统极限真空度:

<10Pa 

25

抽速:

抽至极限真空时间<10Min。

16

高压腔设计压力

5MPa

17

工作压力范围:

10 mTorr~500mTorr可调

18

控制系统结构

一体工控机+PLC

19

报警保护:

具有超温报警,超压报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能


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磷化铟单晶生长炉

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