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基础型 HoF CVD

基础研发型 HoF CVD

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江西汉可泛半导体技术有限公司

江西

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面议

品牌:

江西汉可

型号:

基础研发型 HoF CVD

关注度:

316

产品介绍

该款产品,基于热丝CVD法(Hot Filament Chemical Vapor Deposition,简称HoF CVD)镀膜,适用于高校、科研机构使用,或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性,例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等,可以相互替代。但因为镀膜的原理不同,又具有不同的特点。简要总结如下表所示:


PECVDHoFCVD
镀膜质量高,有等离子体损伤更高,无等离子体损伤
镀膜速度较慢(非晶硅慢,微晶硅更加慢)较快(相比于 PECVD,非晶硅快,微晶硅更快)
设备造价高(射频电源、碳基载板,匀气结构复杂)低(直流电源、金属载板、匀气结构简单)
运营成本一般较低
颗粒污染镀膜气压几十-几百 Pa,易形成粉尘;需每天 NF3 等离子清洗镀膜气压几 Pa,不易形成粉尘;可忽略该问题。
载板要求一般碳基(石墨为主),载板是PE 放电的电极之一,参与放电,所以对其导电性等要求很高。一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应,导电性无要求。
绕镀问题

原理性问题,需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免。

可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低。
生产装备结构卧式:载板、硅片水平放置,自动化易于实现;粉尘颗粒易于粘附与硅片表面立式:载板、硅片垂直放置,自动化难度高;粉尘不易与粘在硅片表面。
镀膜均匀性小面积高;但面积增大难度极高(因为等离子体的控制难度高,有驻波效应)。小面积低;但面积增大容易(因为热丝周期性排布)
设备普及程度高。装备、工艺技术人员充足丰富。低。装备、工艺人员少。


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