非接触式可靠性MApping测量系统COREMA-WT提供无损全晶圆电阻率表征，具有极高的精度，分辨率和测量速度。它基于德国弗赖堡Fraunhofer应用固态物理研究所开发的非接触电容技术。对于确定晶片横向均匀性的制造工艺步骤的详细但快速的生产兼容控制是*有价值的。***地支持探索性流程优化。

晶片上方和下方的电容金属电极通过快速且精确的xy平移定位。他们在所需的测量点定义了本地样品和空气电容器。将充电电压步骤施加到RC电路并记录动态电荷再分配。从初始和*终电荷值和弛豫时间获得电阻率。由于基于**原理的评估仅使用相对单元并且因为所有几何参数抵消，所以以**单位获得电阻率值而不涉及任何仪器校准因子。可以使用标准测试方法文档（DIN 50447）。

单个测量只需要几分之一秒。因此，在非常可接受的时间内获得完整的晶片形貌。例如，记录和评估在数据点之间具有1.4mm步长的100mm直径的晶片形貌图大约需要20分钟。

该系统通常由供应商和客户用于半绝缘晶片的常规生产控制和质量评估。电阻率测量范围为1E6至1E9Ωcm的标准系统优先用于GaAs和InP。对于SiC和GaN，可提供具有1E5至1E12Ωcm扩展范围的系统。

完整的测量过程，包括数据评估和专业演示，由基于Microsoft Windows的用户友好型软件支持和控制。软件界面包括设置所需的测量程序，在线监控测量过程，显示地形数据和详细的统计评估。提供各种地形显示，包括灰度，彩色编码以及伪3D表示，提供令人信服的，以客户为导向的产品质量以及评估和规范验证。

SemiMap分析系统：

其他半导体测量系统

超高半导体电阻率测量

产品名称：SemiMap Analytical Systems

产品编号：COREMA-WT

制造商：SemiMap Scientific Instruments GmbH

介绍：

测量范围1x106 1x109Ohm*cm

探头尺寸1mm 直径

重复性优于1％

边缘排除2.5mm

电阻率评估时间270 ms @ 1E7 Ohm * cm，包括1 mm步进转换时间

晶圆评估时间为20毫米晶圆和1.4毫米x 1.4毫米步长20分钟

温度校正基于卡盘的电阻率温度测量

归一化到指定的温度