设备特点

 适用于4/6/8寸晶圆的先进封装/chiplet 等工艺/SOI衬底减薄抛光工序

 *厚可对应晶圆厚度在1800um(bonding wafer)

 薄可将晶圆加工至10um,  同时保持TTV≤1.5um

 可追加晶圆化学清洗模组，保证晶圆的表面洁净度满足fab工艺

 可配置MES协议转换模块SECS/GEM标准配置

 抛光部分终点检测功能，精确控制*终厚度

 Polish head支持3zone/5zone

 可针对各类化合物半导体/第三代半导体的减薄/抛光