电浆辅助化学气相沉积系统

電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)

Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition

基板尺寸:10x10cm或其他尺寸

濺鍍源:13.56 MHz RF 或2.45 GHz微波

基板加溫:Max800℃

自動製程

Description:

基板尺寸:6”Wafer或其他尺寸

電漿源:13.56 MHz RF & Bias

基板加溫:Max350℃

氣體:SiH4，NH3,N2O，Ar,N2，CF4,O2...

自動壓力控制器

用途:SiO2，SiXNX ... etc.,