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Elionix电子束曝光系统

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1570

产品介绍

品牌:Elionix

型号:ELS-F125/F100/HS50

关键词标签:电子束曝光,电子束直写

简短描述:(<40字):利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案,通过ELB设备曝光和显影,可用于加工sub-10nm的精细结构。

一、简介

ELS-F125Elionix推出的世界上*早的加速电压高达125KV的电子束曝光系统之一,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)

ELS-F125具有以下优点:

l超高书写精度

- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV

- 1.7 nm 电子束直径&邻近效应*小化 @ 125 kV

l高通量、均匀性好

- 超大视野书写:500um视场下10 nm线宽

- 高束流下电子束直径依然很小,高通量而不影响分辨率,2 nm 电子束直径@ 1 nA

l界面用户友好

基于Windows系统的CADSEM界面:

-简单易用的图案设计功能

-易于控制的电子束条件

二、主要功能

l主要应用

纳米器件的微结构

集成光学器件,如光栅,光子晶体等

NEMS结构,复杂精细结构

光刻掩模板,压印模板

l技术能力

型号

ELS-F125

ELS-F100

ELS-HS50

电子枪

ZrO/W 热场发射枪

ZrO/W 热场发射枪

ZrO/W 热场发射枪

加速电压

125 kV, 75 kV, 25 kV

100 kV, 50 kV, 25 kV

50 kV, 20 kV

*小束流直径

Φ 1.7 nm (@ 125 kV)

Φ 1.8 nm (@ 100 kV)

Φ 2.8nm (@ 50 kV,1 nA)

*小线宽

5 nm or less (@125 kV)

6 nm or less (@100 kV)

20 nm (@ 50 kV, 2 nA)

电子束束流

5 pA to 100 nA

20 pA to 100 nA

1 nA to 1 μA

视场范围

Max. 3,000 μm 3,000 μm

Max. 3,000 μm 3,000 μm

Max. 3,000 μm 3,000 μm

Min. 100 μm 100 μm

Min. 100 μm 100 μm

Min. 100 μm 100 μm

束流定位

Max. 1,000,000 1,000,000 (20bit DAC)

Max. 1,000,000 1,000,000 (20bit DAC)

Max. 1,000,000 1,000,000 (20bit DAC)

束流定位分辨率

Min. 0.1 nm

Min. 0.1 nm

Min. 0.1 nm

大样品尺寸

8" wafer or 7" square mask

8" wafer or 7" square mask

8" wafer or 7" square mask

三、应用

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上海纳腾仪器有限公司

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