粉体行业在线展览
LPCVD 低压化学气相沉积设备
面议
鹏城微纳
LPCVD 低压化学气相沉积设备
429
LPCVD低压化学气相沉积设备(科研型LPCVD)简介
是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸;每次装片1~3片。
基片放置方式:配置三种基片托架,竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型:不规则形状的散片、φ2~4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。
LPCVD设备主要技术指标
类型 | 参数 |
---|---|
成膜类型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
**温度 | 1200℃ |
恒温区长度 | 根据用户需要配置 |
恒温区控温精度 | ≤±0.5℃ |
工作压强范围 | 13~1330Pa |
膜层不均匀性 | ≤±5% |
基片每次装载数量 | 标准基片:1~3片;不规则尺寸散片:若干 |
压力控制 | 闭环充气式控制 |
装片方式 | 手动进出样品 |
LPCVD低压化学气相沉积设备(生产型LPCVD)简介
; <spantimes new="" roman";="" mso-fareast-font-family:宋体;mso-bidi-font-family:+mn-cs;mso-bidi-theme-font:="" minor-bidi;color:black;mso-color-index:1;mso-font-kerning:1.0pt;language:zh-cn;="" mso-style-textfill-type:solid;mso-style-textfill-fill-themecolor:text1;="" mso-style-textfill-fill-color:black;mso-style-textfill-fill-alpha:100.0%'="" style="box-sizing: border-box; border-width: 0px; border-style: solid; border-color: rgba(229, 231, 235, var(--tw-border-opacity)); --tw-translate-x: 0; --tw-translate-y: 0; --tw-rotate: 0; --tw-skew-x: 0; --tw-skew-y: 0; --tw-scale-x: 1; --tw-scale-y: 1; --tw-transform: translateX(var(--tw-translate-x)) translateY(var(--tw-translate-y)) rotate(var(--tw-rotate)) skewX(var(--tw-skew-x)) skewY(var(--tw-skew-y)) scaleX(var(--tw-scale-x)) scaleY(var(--tw-scale-y)); --tw-border-opacity: 1; --tw-ring-inset: var(--tw-empty); --tw-ring-offset-width: 0px; --tw-ring-offset-color: #fff; --tw-ring-color: rgba(59, 130, 246, 0.5); --tw-ring-offset-shadow: 0 0 #0000; --tw-ring-shadow: 0 0 #0000; --tw-shadow: 0 0 #0000; --tw-blur: var(--tw-empty); --tw-brightness: var(--tw-empty); --tw-contrast: var(--tw-empty); --tw-grayscale: var(--tw-empty); --tw-hue-rotate: var(--tw-empty); --tw-invert: var(--tw-empty); --tw-saturate: var(--tw-empty); --tw-sepia: var(--tw-empty); --tw-drop-shadow: var(--tw-empty); --tw-filter: var(--tw-blur) var(--tw-brightness) var(--tw-contrast) var(--tw-grayscale) var(--tw-hue-rotate) var(--tw-invert) var(--tw-saturate) var(--tw-sepia) var(--tw-drop-shadow); --tw-backdrop-blur: var(--tw-empty); --tw-backdrop-brightness: var(--tw-empty); --tw-backdrop-contrast: var(--tw-empty); --tw-backdrop-grayscale: var(--tw-empty); --tw-backdrop-hue-rotate: var(--tw-empty); --tw-backdrop-invert: var(--tw-empty); --tw-backdrop-opacity: var(--tw-empty); --tw-backdrop-saturate: var(--tw-empty); --tw-backdrop-sepia: var(--tw-empty); --tw-backdrop-filter: var(--tw-backdrop-blur) var(--tw-backdrop-brightness) var(--tw-backdrop-contrast) var(--tw-backdrop-grayscale) var(--tw-backdrop-hue-rotate) var(--tw-backdrop-invert) var(--tw-backdrop-opacity) var(--tw-backdrop-saturate) var(--tw-backdrop-sepia);">设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理,实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
类型 | 参数 |
---|---|
成膜类型 | Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
**温度 | 1200℃ |
恒温区长度 | 根据用户需要配置 |
恒温区控温精度 | ≤±0.5℃ |
工作压强范围 | 13~1330Pa |
膜层不均匀性 | ≤±5% |
基片每次装载数量 | 100片 |
设备总功率 | 16kW |
冷却水用量 | 2m3/h |
压力控制 | 闭环充气式控制 |
装片方式 | 悬臂舟自动送样 |
LPCVD软件控制界面
团簇式OLED真空蒸镀工艺装备
金刚石散热晶圆片
分子束外延薄膜生长设备(MBE)
MOCVD 金属有机化学气相沉积设备
PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备
LPCVD 低压化学气相沉积设备
HFCVD 热丝化学气相沉积设备
高真空电子束蒸发镀膜机
高真空电阻热蒸发镀膜机
高真空磁控溅射仪
化合物半导体