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刻蚀设备
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中微公司
刻蚀设备
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作为中微**代电介质刻蚀产品,Primo DRIE®是12英寸双反应台多反应腔主机系统,可灵活装置多达三个双反应台反应腔(六个反应台)。每个反应腔都可以同时加工两片晶圆。该设备运用了中微具有自主知识产权的创新技术,包括甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、以及用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。Primo DRIE刻蚀设备可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等所有的电介质材料。Primo DRIE于2007年发布之后,由于其较低的生产成本、较高的生产效率和优异的芯片加工性能,已在国际主流芯片生产线上投入量产。
双反应台腔体设计具有更高的产出效率
双反应台独立射频系统和刻蚀终端控制系统
拥有自主知识产权的射频匹配系统
拥有自主知识产权的等离子体隔离技术
竞争优势
高生产效率,低生产成本(CoO)
设备占地面积小
一体整合的除胶能力及表面电荷减除能力(Primo iDEA®系统)
VOC净化设备
Preforma Uniflex™ CW
PRISMO UniMax® MOCVD设备
PRISMO HiT3® MOCVD设备
PRISMO A7® MOCVD设备
PRISMO D-BLUE®MOCVD设备
Primo Twin-Star® 12 英寸刻蚀设备
Primo nanova®12英寸刻蚀设备
Primo TSV® 高性能、高产能的深硅刻蚀设备
Primo HD-RIE®新一代电介质刻蚀产品
Primo iDEA®双反应台刻蚀除胶一体机
Primo SSC AD-RIE®
XRD-晶向定位
CVD 真空化学气相沉积设备
等离子体增强化学气相沉积系统CVD
自动划片机
BTF-1200C-RTP-CVD
FM-W-PDS
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等离子化学气相沉积系统-PECVD
定制-电浆辅助化学气相沉积系统-详情15345079037