粉体行业在线展览
FE-5000
面议
大塚电子
FE-5000
3466
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特点
可在紫外和可见(250至800nm)波长区域中测量椭圆参数
可分析纳米级多层薄膜的厚度
可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱
通过可变反射角测量,可详细分析薄膜
通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能,增强操作便利性
通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量
测量项目
测量椭圆参数(TANψ,COSΔ)
光学常数(n:折射率,k:消光系数)分析
薄膜厚度分析
用途
半导体晶圆
栅氧化膜,氮化膜
SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
光学常数(波长色散)
复合半导体
AlxGa(1-x)多层膜、非晶硅
FPD
取向膜
等离子显示器用ITO、MgO等
各种新材料
DLC(类金刚石碳)、超导薄膜、磁头薄膜
光学薄膜
TiO2,SiO2多层膜、防反射膜、反射膜
光刻领域
g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)和KrF(248nm)等波长的n、k评估
原理
包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上,对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化,可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数,即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
产品规格
型号 | FE-5000S | FE-5000 |
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测量样品 | 反射测量样品 | |
样品尺寸 | 100x100毫米 | 200x200毫米 |
测量方法 | 旋转分析仪方法*1 | |
测量膜厚范围(ND) | 0.1纳米- | |
入射(反射)的角度范围 | 45至90° | 45至90° |
入射(反射)的角度驱动方式 | 自动标志杆驱动方法 | |
入射点直径*2 | 关于φ2.0 | 关于φ1.2sup*3 |
tanψ测量精度 | ±0.01以下 | |
cosΔ测量精度 | ±0.01以下 | |
薄膜厚度的可重复性 | 0.01%以下*4 | |
测定波长范围*5 | 300至800纳米 | 250至800纳米 |
光谱检测器 | 多色仪(PDA,CCD) | |
测量用光源 | 高稳定性氙灯*6 | |
平台驱动方式 | 手动 | 手动/自动 |
装载机兼容 | 不可 | 可 |
尺寸,重量 | 650(W)×400(D)×560(H)mm 约50公斤 | 1300(W)×900(D)×1750(H)mm 约350公斤*7 |
软件 | ||
分析 | *小二乘薄膜分析(折射率模型函数,Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等) 理论方程分析(体表面nk分析,角度依赖同时分析) |
*1可以驱动偏振器,可以分离不感带有效的位相板。
*2取决于短轴•角度。
*3对应微小点(可选)
*4它是使用VLSI标准SiO2膜(100nm)时的值。
*5可以在此波长范围内进行选择。
*6光源因测量波长而异。
*7选择自动平台时的值。
测量示例
以梯度模型分析ITO结构[FE-0006]
作为用于液晶显示器等的透明电极材料ITO(氧化铟锡),在成膜后的退火处理(热处理)可改善其导电性和色调。此时,氧气状态和结晶度也发生变化,但是这种变化相对于膜的厚度是逐渐变化的,不能将其视为具有光学均匀组成的单层膜。
以下介绍对于这种类型的ITO,通过使用梯度模型,从上界面和下界面的nk测量斜率。
考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]
当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“粗糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。
使用非干涉层模型测量封装的有机EL材料[FE-0011]
有机EL材料易受氧气和水分的影响,并且在正常大气条件下它们可能会发生变质和损坏。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介绍在密封状态下通过玻璃测量膜厚度的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。
使用多点相同分析测量未知的超薄nk[FE-0014]
为了通过拟合*小二乘法来分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,则d和nk都被分析为可变参数。然而,在d为100nm或更小的超薄膜的情况下,d和nk是无法分离的,因此精度将降低并且将无法求出精确的d。在这种情况下,测量不同d的多个样本,假设nk是相同的,并进行同时分析(多点相同分析),则可以高精度、精确地求出nk和d。
LHTG/LHTM/LHTW
Empyrean
V-Sorb4800-金埃谱
EMIA-820V
Hydrolink
Autoflex R837
3H-2000A
SQL810C/1010C
UNI800B
电磁波波谱浓度仪
略