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微波等离子化学气相沉积（MPCVD）系统 —— C型
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微波等离子化学气相沉积（MPCVD）系统 —— C型
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微波等离子化学气相沉积（MPCVD）系统 —— C型 一款先进的碟形腔体微波等离子体化学气相沉积设备，可应用于单晶金刚石和多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜的化学气相沉积以及材料表面处理、改性及掺杂等相关研究工作。 微波输入采用下馈的方式，为腔体结构的优化提供了更大的空间。 该设备可以在相对大面积的衬底上进行单晶和多晶金刚石生长，具备平面和非平面金刚石（HDC）的生长能力。其中，单晶金刚石沉积厚度上限不低于6mm，多晶金刚石沉积厚度上限不低于500μm。 |
性能特点：
֍采用高效散热的样品台 ֍产品沉积速率快、沉积质量高 ֍稳定的微波输入 ֍**功率达到10kW ֍性能先进，安全、可靠性强、重现性好 ֍多参数实时监测、多重联锁保护与报警 ֍为用户提供沉积工艺解决方案 |
主要技术参数：
微波源 | 6kW或10kW可选，2.45GHz |
| 反应腔 | 碟形反应腔，可承载微波功率＞10kW |
反应腔打开方式 | 揭盖式或升降式，可选 |
| 微波馈入方式 | 腔体下方 |
| 微波泄露 | ＜1mW/cm2 |
| 极限真空度 | ＜5×10-4Pa |
| 真空漏率 | ＜5×10-10 Pa·L/s |
| 气体质量流量控制 | 标配5路，可定制 |
| 工作气压 | 0.8kPa - 40kPa |
| 基板台类型 | 水冷式基板台 |
| 标准衬底托 | 65mm、75mm、85mm直径圆台面积稳定沉积 |
| 样品台升降功能 | 有，可选 |
| 样品台旋转功能 | 有，可选；
|
| 非平面（球面）金刚石样品台 | 可选 |
| 操作系统 | PLC控制系统 |
| 单次连续工作时间 | ＞300h |
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