粉体行业在线展览

产品

产品>

无机材料>

碳化硅粉

>6英寸导电型SiC衬底

6英寸导电型SiC衬底

4H-6-SiC

直接联系

硅来半导体(武汉)有限公司

武汉

产品规格型号
参考报价:

面议

型号:

4H-6-SiC

关注度:

123

产品介绍


参数名称P级R级D级
晶型4H
晶向向<11-20>偏转4º± 0.5º
主参考面长度47.5±1.5mm
电阻率0.015~0.025ohm·cm0.011~0.028ohm·cm
直径150 ± 0.25 mm
厚度350±25μm(可定制)
LTV≤ 2 μm≤ 5 μm≤10 μm
TTV≤ 3 μm≤ 8 μm≤ 15 μm
Bow-15 μm - 15 μm-25 μm - 25 μm-45 μm - 45 μm
Warp≤ 20μm≤ 35μm≤ 55μm
微管≤ 0.2ea/cm2≤ 0.5ea/cm2≤ 1ea/cm2
TSD≤ 300ea/cm2≤ 500ea/cm2≤ 3000ea/cm2
BPD≤ 800ea/cm2≤ 1500ea/cm2≤ 5000ea/cm2
TED≤ 3000ea/cm2≤ 6000ea/cm2__
崩边/裂纹/六方空洞__
多晶面积<5%总面积
表面粗糙度Ra≤0.2nm(正面)   Ra≤2nm(背面)
边缘处理倒角
划伤累计长度小于半径累计长度小于直径__
标记激光编码
包装单片/多片包装





硅来半导体(武汉)有限公司依托华中科技大学专业的激光切割技术,不断创新突破。凭借持续的技术积累以及专业的技术团队,能够为客户提供低成本、高性能的晶圆切割整体解决方案,全方位助力客户提升市场竞争力。

硅来半导体始终以 “自强不息” 为精神内核,在碳化硅半导体产业攻坚期坚守技术初心 —— 面对衬底制备、器件封装等 “卡脖子” 难题,团队以昼夜迭代的坚韧突破性能瓶颈;面对行业技术迭代的挑战,始终以主动研发的姿态升级核心能力,从不因阶段性量产成果停下创新脚步。

产品咨询

6英寸导电型SiC衬底

4H-6-SiC

请填写您的姓名:*

请填写您的电话:*

请填写您的邮箱:*

请填写您的单位/公司名称:*

请提出您的问题:*

您需要的服务:

发送

中国粉体网保护您的隐私权:请参阅 我们的保密政策 来了解您数据的处理以及您这方面享有的权利。 您继续访问我们的网站,表明您接受 我们的使用条款

6英寸导电型SiC衬底 - 123
硅来半导体(武汉)有限公司 的其他产品

FLOW

碳化硅粉
相关搜索
关于我们
联系我们
成为参展商

© 2026 版权所有 - 京ICP证050428号